| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AOT160A60L | 600V, aMOS5TM N-Channel Power Transistor General Description • Proprietary αMOS5TM technology• Low RDS(ON)• Optimized switching parameters for better EMI performance• Enhanced body diode for robustness and fast reverse recovery Applications • SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies• Micro inverter with DC/AC inverter topology | AOSMD 万国半导体 |   | |
AOT160A60L | 高压MOSFET (500V - 1000V) | AOS 美国万代 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current ID= 24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 160mΩ(Max) ·100 Avalanche Tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·High current , high speed s | ISC 无锡固电 | | ||
Schottky barrier diode 文件：139.08 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
Schottky barrier diode 文件：116.13 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
Schottky barrier diode 文件：120.48 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AOT |
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