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位置：首页 > IC中文资料第1976页 > AOT12N60

AOT12N60价格

参考价格：￥3.6528

型号：AOT12N60 品牌：Alpha 备注：这里有AOT12N60多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，AOT12N60批发/采购报价，AOT12N60行情走势销售排行榜，AOT12N60报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOT12N60

600V, 12A N-Channel MOSFET

General Description The AOT12N60 & AOTF12N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabi

AOSMD

万国半导体

AOT12N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：303.95 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOT12N60

MOSFET：N-Channel

AOS

美国万代

AOT12N60FD

600V, 12A N-Channel MOSFET

General Description The AOT12N60FD/AOTF12N60FD have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabili

AOSMD

万国半导体

AOT12N60FD

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：304.1 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOT12N60FD

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

AOT12N60FDL

MOSFET：N-Channel

AOS

美国万代

12N60

12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

The UTC 12N60are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced using UTCs proprietary, planar stripe, DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance, provide superior switching p

UTC

友顺

12N60

12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages

UTC

友顺

12N60

12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages

WXDH

东海半导体

12N60

12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages

WXDH

东海半导体

12N60

12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages

WXDH

东海半导体

AOT12N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOT12N60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

AOT12N60供应商更多...

更新时间：2026-1-5 22:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳诚思涵科技有限公司
AOT12N60FDAOT12N60
AO/万代
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TO-220
19320
公司现货库存 支持实单
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深圳市威雅利发展有限公司
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TO220
6700
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