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AOI450

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

AOI450

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:963 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

Industrial 15/16 (24mm) diameter 1/2 watt composition variable resistor

文件:65.84 Kbytes Page:2 Pages

CTS

西迪斯

HEADER STRIPS .100??Grid Solder Tail Double Row

文件:129.169 Kbytes Page:1 Pages

MILL-MAX

Supporting the Intel Celeron processor

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Intel

英特尔

Celeron M Processor on 65 nm Process

文件:1.93023 Mbytes Page:71 Pages

Intel

英特尔

Ultra-Ripple, Long-life, Inverter Grade, Radial Leaded The Ultimate in Ripple for Plug-in

文件:270 Kbytes Page:4 Pages

CDE

更新时间:2025-12-10 23:42:00
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VB
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