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AOD2N60价格

参考价格：￥1.0274

型号：AOD2N60 品牌：Alpha 备注：这里有AOD2N60多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，AOD2N60批发/采购报价，AOD2N60行情走势销售排行榜，AOD2N60报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOD2N60

2A, 600V N-Channel MOSFET

General Description The AOD2N60 & AOU2N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabilit

AOSMD

万国半导体

AOD2N60

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V, 2A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOD2N60

丝印代码：DPAK；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：309.65 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOD2N60

600V, 2A N-Channel MOSFET

文件：332.62 Kbytes Page：6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOD2N60A

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V,2A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOD2N60_10

600V, 2A N-Channel MOSFET

文件：332.62 Kbytes Page：6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOD2N60A

600V,2A N-Channel MOSFET

文件：434.36 Kbytes Page：6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOD2N60A

600V,2A N-Channel MOSFET

文件：2.64038 Mbytes Page：6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOD2N60A

丝印代码：DPAK；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：309.77 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOD2N60A

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08591 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTP2N60

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand h

MOTOROLA

摩托罗拉

MTP2N60E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand h

MOTOROLA

摩托罗拉

PHB2N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. The PHP2N60E is supplied

PHILIPS

飞利浦

PHP2N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. The PHP2N60E is supplied

PHILIPS

飞利浦

MTB2N60E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS

文件：271.17 Kbytes Page：10 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

AOD2N60产品属性

  • 类型

    描述

  • Package：

    TO252

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

  • VDS (V)：

    600

  • VGS (±V)：

    30

  • ID @ 25°C (A)：

    2

  • PD @ 25°C (W)：

    56.80

  • 10V：

    4400

  • Qg (10V)(nC)：

    9.50

  • VGS(th) max (V)：

    5

  • Ciss (pF)：

    270

  • Coss (pF)：

    29

  • Crss (pF)：

    2.80

  • Qgd (nC)：

    4.70

  • tD(on) (ns)：

    17.20

  • tD(off) (ns)：

    27

  • Trr (ns)：

    154

  • Qrr (nC)：

    800

  • Qualification：

    Industrial

  • ESD Diode：

    No

  • Tj max (°C)：

    150

AOD2N60供应商更多...

更新时间：2026-5-22 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
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AOS
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AOD2N60L
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AOD2N60L
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