型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

60VP-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheAOB411LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboostconvertersandsynchronousrectifiersforconsumer,telecom,industrialpowersuppliesandLEDbacklighting. ProductSummary

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

iscP-ChannelMOSFETTransistor

文件:280.62 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

DetectableBuriedBarricadeTapes400Series

文件:53.73 Kbytes Page:2 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

SlaveDigitalAlarmCommunicatorTransmitter

文件:175.21 Kbytes Page:4 Pages

GAMEWELL-FCIGamewell-FCI by Honeywell

Gamewell-FCI by Honeywell

GAMEWELL-FCI

ESTABLISHEDRELIABILITYTO-5RELAYS

文件:146.4 Kbytes Page:6 Pages

WILLOW

Willow Technologies Ltd

WILLOW

Replace“XX”with01through12fornumberofpoles11/16(.688)pitch

文件:597.06 Kbytes Page:3 Pages

MARATHON

Regal Beloit Corporation

MARATHON

짹1째CRemoteandLocalTEMPERATURESENSORwithN-FactorandSeriesResistanceCorrection

文件:375.73 Kbytes Page:28 Pages

BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated

德州德州仪器

BURR-BROWN

AOB411产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB411

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 60V 8A TO263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-15 18:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS
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NA/
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