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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。
般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：
VGS
|VGS|>|VTP (PMOS)|，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 [1] 。
各种场效应管特性比较编辑
在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示：双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%，饱和驱动电流分别增加11%和20%。PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。
化学物品编辑
PMOs即periodic mesoporous organosilicas，介孔硅基有机-无机杂化材料。它是一种分子水平上有机组分与无机组分在孔壁中杂化的材料，这类材料有着许多独特的性质：有机官能团均匀分布在孔壁中且不堵塞孔道，有利于客体分子的引入和扩散；骨架中的有机官能团可以在一定程度L调节材料的物化性质，如机械性能，亲/疏水性；可以同时实现对孔道和孔壁功能性的调变．正因如此，PMOs已成为当今材料科学领域的一个研究热点。
上世纪90年代初以M41S(Mobile composite of matter)及FSM(folded sheets mesoporous materi-al)为代表的有序介孔氧化硅材料的报道掀起了介孔材料的合成和应用研究的热潮。一方面，有序介孔材料的出现突破了微孔材料(如沸石)的孔径限制，可以在有机大分子、生物大分子的固载、催化转化等领域中得到应用；另一方面，介孔材料中不同取向、不同尺寸及不同连通度的孔道作为理想的纳米反应器，可以用来组装和限域金属配合物及生物大分子，定向合成纳米粒子等．最初的介孔材料的孔壁组成为氧化硅，为了拓展其在不同领域的应用，研究者们致力于扩展其孔壁组成的研究，包括杂原子掺杂介孔氧化硅，介孔金属氧化物、金属、硫化物、碳、聚合物等，以及对介孔氧化硅进行有机修饰怛¨．其中有机修饰是扩展其应用的最为便捷也最为灵活的途径之一。对于有机官能化的介孑L氧化硅材料主要分为表面结合型及桥键型有机一无机介孔材料两种。表面结合型有机一无机介孔材料可以通过后嫁接或共缩聚两种方式将有机基团引入到介孔材料的孔道中。引入的有机基团还可以通过进一步的化学反应衍生出新的活性中心。表面结合型有机一无机介孔材料的活性位比较容易接近，可选的有机基团种类也相对较多。但这种方法合成的材料存在有机基团分布不均匀，占用孔道空间降低孔容等缺点。桥键型有机一无机介孔材料，简称PMOs（Periodic Mesoporous Organosilicas)，是指有机基团存在于材料的孔壁结构中的有机一无机介孔材料 [2] 。
安全操作系统编辑
基于YunOS深度定制的PMOS专用移动操作系统。
在反向保护电路中的应用编辑
反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端，PMOS完全截止 。
20N06
30N06
50N06
50N03
A04430
STD60NF55LTG
FDP3632
NDD04N60Z-1G
AOD2N60
FDD14AN06
FDS5170N7
IRFR2407TRPBF
IRFR2407
HN75N09AP
FQPF33N10L
AO4812
IRF9540N
AP9561
IRF9540NPBF
AP9561GM-HF
FDS86141
AO4447A
FDD8796
FDS4501H
FDP047AN08A0
AOD438
FDS6692A
FDS86540
MBRF2060CT
MR20200CT
MBR30200CT
MRF20100CT
MBRD20100CT
MBR2045CT
BTA16-800B
MURF86OG
MBA40100CT
MBD6CGC
MBRD10100CT
MBR3045CT
MBRB2045CT
MBR2560CT
MBRB20100CTT4G
MBRD1045T4G
MBRB20200CTT4G
MBR15100CT
MBRD3045CT
RURP30100
FQPF7N60C
MTP33N10E
2SK4145
FQP12N60C
TIP32A
AOT2606L
AOB2606L
AOTF2606L 60VN-Channel?MOSFET
美国万代半导体(Alpha and_Omega Semiconductor以下简称AOS公司是一家专门从事电源类集成电路设计和生产的高科技公司，AOS为消费、计算等领域提供电源管理方案，MOSFET是AOS传统强项，在开关速度、减小损耗方面拥有优异表现，在PC应用上取得了世界前三的市场地位。AOS又推出了新的UniSiC MOSFET，针对大型太阳能逆变器等高端应用，可在发挥SiC MOSFET优势的同时，显著降低由于二极管带来的能源损耗，在提高能源效率上有突出优势。AOS以拥有功率半导体技术和商业运作之全面经验感到自豪。.与作为主要竞争对手的其他电源大厂相比，AOS在新工艺方面更加锐进，其Power MOSFET产品采用8寸晶圆，在高良率，高性价比方面占技术优势.AOS也在合作的晶圆代工厂配置了公司专有的芯片处理和包装技术，以配合设计和生产先进的功率半导体产品。
AOT10T60L AOD4128 AOB482L AOD452 AO6408 AON6938
AOTF10T60 AON7426 AOT262L AO4616 AOI4102 AO4854
AOD2N60 AO4202 AOTF260L AO4618 AO4566 AO4882
AOD3N50 AOD512 AOWF20S60 AON7934 AO6403 AOB409L
AON2401 AOL1458 AOW20S60 AON6816 AON6516 AOT7N65
AOD454A AOI4T60 AOW20C60 AO4611 AOV11S60 AOTF450L
AO4449 AOTF4N60 AOT284L AO4842 AOV15S60 AO4447
AO4411 AOD2910 AOTF10N90 AO4822A AOWF12T60P AOD4124
AO4435 AOL1202 AOK5N100 AO4807 AO4440 AOTF4185
AO4441 AON7458 AOT1100L AO4886 AON2407 AON7611
AON7702L AO3421E AO7405 AOT264L AO5803E AO6401A
AON7700L AO4444 AON4420 AOTF20N60 AON6926 AON7430
AON7430L AON2260 AO5404E AOTF22N50 AOT474 AO7410
AON7422 AOD425 AON2405 AO4421 AOW12N65 AO7411
AON7403L AO4354 AON6414A AO4438 AOD4130 AON2240
AON7401L AOI508 AO4484 AOT27S60L AO4447A AOD421
AON6718L AON6240 AOB292L AOT42S60L AOTF10T60PL AOC2421
AON6712 AOI510 AO3400A AOD240 AOT10T60PL AO4442
AOT9N50 AOWF4S60 AO6415 AOT460 AOWF10T60P AOD4120
AO3403 AO4406 AON6250 AOT8N80L AOW10T60P AOD4102
AO8830 AO4427 AOT270L AON3810 AOB2608L AON7506
AOK20B135D1 AO4433 AOT2500L AO4932 AOB254L AON7414
AOK75B60D1 AOT404 AOK40N30L AOB298L AOB14N50 AO4496
AOTF5B60D AOD472 AOD4504 AOT14N50 AON6978 AOH3106
AOB5B60D AOTF5N50FD AOI9N50 AOT254L AON7932 AOU1N60
AOTF10B60D AOL1702 AOI7N60 AOTF8N80 AOTF18N65 AOD4136
AOT15B60D AON7700 AON6518 AOK20S60L AOTF266L AO4478
AOK30B60D1 AON6410 AON7760 AO6420 AOTF20N40L AO4724
AOK15B60D AOD486A AON6774 AO4752 AON6403 AOI518
AOK40B60D AOL1418 AON7462 AOD514 AON6500 AO4712
AOK60B60D1 AOL1422 AOD4N60 AO3162 AOD482 AOU2N60
AOTF15B60D AOL1424 AOW29S50 AO3424 AOD2610 AO7417
AOB15B60D AOL1428 AOK29S50L AO3460 AON6407 AON1610
AOT5B60D AOL1440 AOT292L AO3435 AO3406 AON3419
AOT10B60D AOL1700 AON7254 AO3404A AO6405 AO6402A
AOK50B60D1 AON6522 AOTF3N80 AO4588 AO7401 AO3409
AOT416 AON7421 AON6284 AO4498E AO3402 AO3423
RFP30PO5
MUR1660CTR
IPA032N06N3G
NCE3090K
TIP42C
FQP7N60C
IRFB7437PBF
TIP31C
TIP142T
SUD19P06-60L-E3
SUP85N10-10
FESF16JT
MAC4DSNT4G
Q6025L6
BTA316X-800C
A04576
MDD06N100RH
B137S-600E
NCE69900
PSMN2R0-3OPL
AOT2606
BTA208X-600B
MCR25N
BT138S-600E
MCR310-10G
AOD2606
MCR8NG
NCE7580D
NCE6050A
NCE603S
BUK9612-5B
L6008L6
