型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOB411L

60V P-Channel MOSFET

General Description The AOB411L combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Product Summary

AOSMD

万国半导体

AOB411L

P沟道MOSFET (8V - 60V)

AOS

美国万代

AOB411L

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:280.62 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Detectable Buried Barricade Tapes 400 Series

文件:53.73 Kbytes Page:2 Pages

3M

Slave Digital Alarm Communicator Transmitter

文件:175.21 Kbytes Page:4 Pages

Honeywell

霍尼韦尔

ESTABLISHED RELIABILITY TO-5 RELAYS

文件:146.4 Kbytes Page:6 Pages

WILLOW

Replace “XX” with 01 through 12 for number of poles 11/16 (.688) pitch

文件:597.06 Kbytes Page:3 Pages

MARATHON

짹1째C Remote and Local TEMPERATURE SENSOR with N-Factor and Series Resistance Correction

文件:375.73 Kbytes Page:28 Pages

BURR-BROWN

AOB411L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOB411L

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 60V 8A TO263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-26 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
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