型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
AO9926B

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch.StandardProduct

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
AO9926B

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
AO9926B

20VDualN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch.StandardProduct

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

20VDualN-ChannelMOSFET

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Powerswitchingapplication

Description The9926usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Application ●Powerswitchingapplication ●Hardswitchedandhighfrequencycircuits ●Uninterruptiblepowersupply

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:996.47 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

6A竊?0VDualN-CHANNELMOSFET

文件:124.3 Kbytes Page:4 Pages

KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

文件:117.54 Kbytes Page:5 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:1.62045 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

AO9926B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO9926B

  • 功能描述

    MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-8-4 15:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
24+
SOP-8
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
AOS/万代
23+
SO-8
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SOP
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AOS/万代
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SOP-8
6000
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AOS
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SOP-8
20000
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AOS/万代
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SOP-8
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免费送样原盒原包现货一手渠道联系
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