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AML1005H3N9STS

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES • The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz • Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz • SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz • This product

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

AML1005H3N9STS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AML1005H3N9STS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

更新时间:2025-8-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FDK
24+
NA/
13250
原装现货,当天可交货,原型号开票
FDK
2016+
SMD
10000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
FDK
25+
402
10000
原装正品,欢迎来电咨询!
FDK
24+
ROHS
990000
明嘉莱只做原装正品现货
FDK
24+
0402
10000
全新原装数量均有多电话咨询
FDK
23+
0402L
9868
专做原装正品,假一罚百!
FDK
24+
NA
3500
原装现货,可开13%税票
FDK
23+
0402
7300
专注配单,只做原装进口现货
24+
5000
FDK
23+
ROHS
3970
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详

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