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AML1005H3N9STS中文资料

厂家型号

AML1005H3N9STS

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功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

数据手册

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生产厂商

RENESAS

AML1005H3N9STS数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

AML1005H3N9STS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AML1005H3N9STS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

更新时间:2025-12-13 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
5000
FDK
23+
0402L
9868
专做原装正品,假一罚百!
FDK
23+
ROHS
3970
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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24+
ROHS
990000
明嘉莱只做原装正品现货
FDK
2022+
6200
全新原装 货期两周
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2016+
SMD
10000
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24+
0402
10000
全新原装数量均有多电话咨询
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15+Rohs
SMD
72800
原装新货/价格漂亮/长期大量供应
FDK
23+
0402
7300
专注配单,只做原装进口现货
FDK
23+
0402
50000
全新原装正品现货,支持订货