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AI-180

包装:盒 描述:MC INSULATION BARRIERS FRAME SIZ 继电器 配件

ALTECH

AI-180

包装:盒 描述:MC INSULATION BARRIERS FRAME SIZ 继电器 配件

ALTECH

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor . . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • BD180 is complementary with BD179

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W)

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

MOSPEC

统懋

Silicon Power Transistor High Power Audio Amplifier

Description: The NTE180 (PNP) and NTE181 (NPN) are silicon complementary transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in complementary audio amplifiers to 100 watts music power per channel. Features: • High DC Current Gain: hFE = 25 – 100 @ IC = 7.5A • Excellent

NTE

500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

DESCRIPTION NEC Type RD2.0E to RD200E Series are planar type zener diode in the popular DO-35 package with DHD (Double Heatsink Diode) construction having allowable power dissipation of 500 mW. To meet various application at customers, Vz (zener voltage) is classified into the tight tolerance und

NEC

瑞萨

500 mW DHD ZENER DIODE DO-35

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更新时间:2026-3-17 21:20:00
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    AI-1027-TWT-5V-2-R

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    原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道

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    描述 该AIC1117A是一个低压差三端稳压1A输出电流能力。该输出电压可调与一个使用电阻分压器或固定2.85V,3.3V和5V电压。辍学保证在1.5V的最大日最大输出电流。及其低压差电压和快速瞬态响应使它低理想电压微处理器应用。内部电流和热限制提供保护反对任何会造成过载条件结温过高。 特征 在1A输出电流电压为1.3V。 快速瞬态响应。 行规一般在0.015%。 负载调整通常在0.1%。 内部热和电流限制。 可调输出电压或固定2.85V,3.3V和 5V

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    该AIC1084是低辍学三端稳压5A输出电流能力。该输出电压可调与一个使用电阻分压器或固定3.3V。电压差保证在为1.4V最大与最大输出电流。及其低压差电压和快速瞬态响应使它低理想电压微处理器应用。电流限制和热保护提供保护反对任何超负荷条件将创造过度交界温度。 特点 降在5A输出电流电压为1.3V。 快速瞬态响应。 极其严格的线路和负载调节。 电流限制和热保护。 可调输出电压或固定1.5V和1.8V,3.3。 的标准3- Pin电源包。 应用

    2013-2-4