径向引线PPTC

提供的信息被认为是准确可靠的。 但是，用户应当独立评估选择的每款产品是否适合自己的应用并进行测试。 Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会 • 符合RoHS标准\n• 产品符合相应的汽车行业标准\n• 兼容大批量电子组装件;

PolySwitch Resettable Devices Automotive Devices

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封装/外壳：径向，圆片式 包装：散装 描述：PTC RESET FUSE 16V 8A RADIAL 电路保护 PTC 可复位保险丝

Overcurrent Protection Device

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PolySwitch Resettable Devices

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径向引线PPTC

提供的信息被认为是准确可靠的。 但是，用户应当独立评估选择的每款产品是否适合自己的应用并进行测试。 Littelfuse产品并非为相关Littelfuse产品文件中明确说明的用途以外的其他用途而设计，也不应被用于这些用途（包括但不限于军事、航空航天、医疗、救生、维生或核设施应用、用于手术植入体内的装置、或者在产品故障或运行无法达到理想状态的情况下会造成人身伤害、死亡或财产损失的任何其他应用）。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的任何其他用途，则产品不享受Littelfuse质保。 如果将产品用于相关Littelfuse文件中未明确说明的其他用途，则Littelfuse不会 • 符合RoHS标准\n• 产品符合相应的汽车行业标准\n• 兼容大批量电子组装件;

封装/外壳：径向，圆片式 包装：散装 描述：PTC RESET FUSE 16V 8A RADIAL 电路保护 PTC 可复位保险丝

PolySwitch Resettable Devices Automotive Devices

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PolySwitch Resettable Devices

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PolySwitch Resettable Devices

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PolySwitch Resettable Devices Automotive Devices

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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT

. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication • Choice of Packages — MJE700 and MJE800 series

4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT

. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication • Choice of Packages — MJE700 and MJE800 series

POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)

PLASTIC DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. FEATURES * High DCCurrent Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 A * Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplicat

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD The µPA800T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V,

NSC800TM High-Performance Low-Power CMOS Microprocessor

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