位置：首页 > IC中文资料第7384页 > AGR21180EF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AGR21180EF | 180 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET 文件：384.12 Kbytes Page：10 Pages | TRIQUINT |   | |
AGR21180EF | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB | ASI Semiconductor | | |
AGR21180EF | 180 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET | QORVO 威讯联合 | | |
Dedicated - Delay-on-Break Description The KRDB Series is a compact time delay relay measuring only 2 in. (50.8 mm) square. Its microcontroller timing circuit provides excellent repeat accuracy and stability. Encapsulation protects against shock, vibration, and humidity. The KRDB Series is a cost effective approach for | LITTELFUSE 力特 | | ||
丝印代码：BU21180；Capacitive Switch Controller IC 文件：3.93592 Mbytes Page：44 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
RF Power Field Effect Transistor 文件：520.03 Kbytes Page：12 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
RF Power Field Effect Transistor 文件：333.54 Kbytes Page：12 Pages | FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
AGR21180EF产品属性
- 类型
描述
- 型号
AGR21180EF
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-2-8
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