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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant

A-POWER

富鼎先进电子

G-S Diode embedded, Capable of 2.5V gate drive

Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness. ▼ G-S Diode embedded ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Surface mount package ▼ RoHS Compliant

A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2025-12-25 19:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
SMD
990000
明嘉莱只做原装正品现货
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16
FERRAZ
1
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32VFQFPN
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APEC/富鼎
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TO-252
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20
100500
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APEC/富鼎
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TO-3P
69820
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