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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The NP82N03KDF is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching application. FEATURES • Channel temperature 175°C rating • Super low on-state resistance and 4.5 V gate drive type RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V,

RENESAS

瑞萨

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Product Scout Automotive

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-12-25 23:01:01
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