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70V631S10BFG8

HIGH-SPEED3.3V256Kx18ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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封装/外壳:208-LFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA 集成电路(IC) 存储器

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

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更新时间:2024-5-26 13:02:00
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