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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 54.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 85mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.23637 Mbytes Page:15 Pages

INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-5-24 15:10:01
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