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SPW55N80C3中文资料
SPW55N80C3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current : ID= 54.9A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 800V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 85mΩ(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRITION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
SPW55N80C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPW55N80C3
- 功能描述
MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-247 |
22000 |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7078 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-247 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价SPW55N80C3即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
INFINEON |
20+ |
TO-247 |
50000 |
||||
INFINEON |
23+ |
TO-247 |
28500 |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-247 |
5000 |
公司只做原装现货库存! |
|||
Infineon(英飞凌) |
2023+ |
PG-TO247-3 |
4550 |
全新原装正品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
PG-TO247-3 |
4941 |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
SPW55N80C3FKSA1 价格
参考价格:¥57.5200
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- 316-015-400-101
- 316-015-400-102
- 316-015-400-103
- 316-015-400-104
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- LM74900-Q1_V01
- LM74910-Q1
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- PCIE-1840
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Datasheet数据表PDF页码索引
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- P100
- P101
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- P103
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售