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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFT

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=17mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=5V,ID=2

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=5V,ID=24A) RDS(on)3=24mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1970

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更新时间:2024-6-9 17:18:01
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NEC
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    2020-4-18
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    490-UP2-AH-1-TH,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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