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3N10价格

参考价格：￥73.0634

型号：3N104-A000-S08BF 品牌：3M 备注：这里有3N10多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，3N10批发/采购报价，3N10行情走势销售排行榜，3N10报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
KI3N10DS

丝印代码：3N10；N-Channel MOSFET

文件：362.46 Kbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

3N10

N-MOS，100V,2.2A,10V内阻286MΩ

JTDSEMI

AP3N10CI

丝印代码：3N10C；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 100V ID =2.8A - RDS(ON)

APME

永源微电子

IPB70N10S3-12

丝印代码：3N1012；OptiMOS-T Power-Transistor

Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

IPD35N10S3L-26

丝印代码：3N10L26；OptiMOS-T Power-Transistor

Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

IPI70N10S3-12

丝印代码：3N1012；OptiMOS-T Power-Transistor

Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

IPP70N10S3-12

丝印代码：3N1012；OptiMOS-T Power-Transistor

Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

3N100E

TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design a

MOTOROLA

摩托罗拉

3N100E

TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS

The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components with higher power and lower RDS(on) capabilities. This high voltage MOSFET uses an advanced termination s

MOTOROLA

摩托罗拉

3N100E

TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM

ETC

知名厂家

3N1012

OptiMOS-T Power-Transistor

Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

3N10L26

OptiMOS-T Power-Transistor

Features • N-channel - Enhancement mode • Automotive AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 100 Avalanche tested

INFINEON

英飞凌

3N100

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N100-FC

3.0A, 1000V N-CHANNEL POWER MOSFET

UTC

友顺

3N101

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N102

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N103

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N104

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N104-A000-S08 BF

包装：散装 描述：CONN PLUG MALE 4P GOLD SLDR CUP 连接器，互连器件 圆形连接器组件

3M

3N104-A000-S08BF

INDUSTRIAL M12 WIRE MOUNT, FOR A-CODE, MALE, SOLDER TYPE

文件：269.43 Kbytes Page：1 Pages

3M

3N104-D000-S08 BF

包装：散装 描述：CONN PLUG MALE 4P GOLD SLDR CUP 连接器，互连器件 圆形连接器组件

3M

3N104-D000-S08BF

INDUSTRIAL M12 WIRE MOUNT, FOR D-CODE, MALE, SOLDER TYPE

文件：241.1 Kbytes Page：1 Pages

3M

3N105

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N106

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N107

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N108

NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS

文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

DO3N10

丝印代码：MA4；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：2.43704 Mbytes Page：4 Pages

DOINGTER

杜因特

FIR3N10LTG

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：3.18825 Mbytes Page：7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

PJW3N10A

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：398.49 Kbytes Page：8 Pages

PANJIT

強茂

SW3N10

N-channel D-PAK MOSFET

文件：535.87 Kbytes Page：5 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

UT3N10

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：211.28 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

3N10产品属性

  • 类型

    描述

  • VGS(±V)：

    ±30

  • ID(A)：

    3

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：

    9000

  • CISSTYP.(pF)：

    385

  • COSSTYP.(pF)：

    42

  • CRSSTYP.(pF)：

    2

  • QgTYP.(nC)：

    13

  • QgsTYP.(nC)：

    6

  • QgdTYP.(nC)：

    2

  • VGS(th)(V)MIN.：

    3

  • VGS(th)(V)MAX.：

    5

  • TrrTYP.(nS)：

    840

  • QrrTYP.(nC)：

    5600

  • Package：

    TO-220F_TO-220F1_TO-220F2_TO-251_TO-252

3N10供应商更多...

更新时间：2026-7-27 19:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
KI3066
SHINKOHEL
20+
DIP
88720
红外全新原装主营-可开原型号增税票
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
KI3052-AALF
SHINKOH
23+
DIP
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
深圳市恒创达实业有限公司
KI3050
GUANGPUYU
17+
DIP
6200
100%原装正品现货
询价
上海金庆电子技术有限公司
KI3066
SHINKOHELECS
+
DIP
301
全新 发货1-2天
询价
深圳市一线半导体有限公司
KI3170
24+
DIP
60
新
询价
深圳市博中泰实业有限公司
KI3415P
KEXIN/科信
25+
SOT-23
90000
全新原装现货
询价
深圳市威尔健半导体有限公司
KI3415P
KEXIN/科信
23+
SOT-23
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
深圳博中泰实业有限公司
KI3066
SHINKOHELECS
25+
DIP
20000
本公司 只做全新原装正品
询价

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