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3DK2晶体管资料

  • 3DK200A别名:3DK200A三极管、3DK200A晶体管、3DK200A晶体三极管

  • 3DK200A生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DK200A制作材料:Si-NPN

  • 3DK200A性质:功率开关 (PSW)

  • 3DK200A封装形式:直插封装

  • 3DK200A极限工作电压:350V

  • 3DK200A最大电流允许值:15A

  • 3DK200A最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DK200A引脚数:2

  • 3DK200A最大耗散功率:300W

  • 3DK200A放大倍数

  • 3DK200A图片代号:E-44

  • 3DK200Avtest:350

  • 3DK200Ahtest:999900

  • 3DK200Aatest:15

  • 3DK200Awtest:300

  • 3DK200A代换 3DK200A用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION · High Switching Speed · High DC Current Gain- : hFE= 7@ IC= 15A · Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)=1.0V(Min.)@ IC= 10A APPLICATIONS · Designed for use in industrial-military power amplifier and switching circuit applications.

ISC

无锡固电

Microcontroller

Microcontroller

RENESAS

瑞萨

丝印代码:1P1;SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A)

DGNJDZ

南晶电子

TRANSISTOR ( NPN )

TRANSISTOR ( NPN ) FEATURES • Epitaxial planar die construction • Complementary PNP Type available(MMBT2907ALT1)

JIANGSU

长电科技

TRANSISTOR(NPN )

TRANSISTOR(NPN ) FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W(Tamb=25℃)

JIANGSU

长电科技

TRANSISTOR ( NPN )

TRANSISTOR ( NPN ) FEATURES • Epitaxial planar die construction • Complementary PNP Type available(MMBT2907ALT1)

JIANGSU

长电科技

TRANSISTOR(NPN )

TRANSISTOR(NPN ) FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W(Tamb=25℃)

JIANGSU

长电科技

双极晶体管

BMTI

晶体管

JSCJ

长晶科技

Transistor

Semitehelec

3DK2产品属性

  • 类型

    描述

  • PCM(W):

    0.225

  • IC(A):

    0.6

  • VCBO(V):

    75

  • VCEO(V):

    40

  • VEBO(V):

    6

  • hFEMin:

    100

  • hFEMax:

    300

  • hFE@VCE(V):

    10

  • hFE@IC(A):

    0.15

  • VCE(sat)(V):

    0.6

  • VCE(sat)\u001E@IC(A):

    0.5

  • VCE(sat)\u001E@IB(A):

    0.05

  • Package:

    SOT-23

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