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3DD8晶体管资料

  • 3DD801A别名：3DD801A三极管、3DD801A晶体管、3DD801A晶体三极管

  • 3DD801A生产厂家：中国大陆半导体企业

  • 3DD801A制作材料：Si-NPN

  • 3DD801A性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L

  • 3DD801A封装形式：直插封装

  • 3DD801A极限工作电压：300V

  • 3DD801A最大电流允许值：10A

  • 3DD801A最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 3DD801A引脚数：2

  • 3DD801A最大耗散功率：150W

  • 3DD801A放大倍数：

  • 3DD801A图片代号：E-44

  • 3DD801Avtest：300

  • 3DD801Ahtest：999900

  • 3DD801Aatest：10

  • 3DD801Awtest：150

  • 3DD801A代换 3DD801A用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD8005B

功率开关晶体管

THUNDERSOFT

中科创达

3DD8020L

功率开关晶体管

THUNDERSOFT

中科创达

3DD880

isc Silicon NPN Power Transistors

文件：298.05 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD8A

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 30V(Min)

文件：190.68 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD8B

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min)

文件：190.35 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD8C

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min)

文件：190.76 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD8D

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 110V(Min)

文件：190.37 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD8E

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min)

文件：190.41 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD8F

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 200V(Min)

文件：190.53 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD8产品属性

  • 类型

    描述

  • VCBO/(V)：

    1500

  • VCEO/(V)：

    800

  • IC/(A)：

    5

  • PC/(W)：

    80

  • hFE(min）：

    15

  • hFE（max）：

    40

  • VCE（sat）(V)：

    3.0

  • VCE@IC/(A)：

    3.2

  • VCE@IB/(A)：

    0.63

  • Package：

    TO-3PB

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