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3DD8B晶体管资料

  • 3DD8B别名:3DD8B三极管、3DD8B晶体管、3DD8B晶体三极管

  • 3DD8B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD8B制作材料:Si-NPN

  • 3DD8B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD8B封装形式:直插封装

  • 3DD8B极限工作电压:45V

  • 3DD8B最大电流允许值:15A

  • 3DD8B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD8B引脚数:2

  • 3DD8B最大耗散功率:100W

  • 3DD8B放大倍数

  • 3DD8B图片代号:E-44

  • 3DD8Bvtest:45

  • 3DD8Bhtest:999900

  • 3DD8Batest:15

  • 3DD8Bwtest:100

  • 3DD8B代换 3DD8B用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD8B

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min)

文件:190.35 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min)

文件:190.76 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 110V(Min)

文件:190.37 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min)

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ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 200V(Min)

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ISC

无锡固电

更新时间:2026-7-29 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISC/固电
23+
F-2
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详

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