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3DD8E晶体管资料

  • 3DD8E别名:3DD8E三极管、3DD8E晶体管、3DD8E晶体三极管

  • 3DD8E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD8E制作材料:Si-NPN

  • 3DD8E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD8E封装形式:直插封装

  • 3DD8E极限工作电压:100V

  • 3DD8E最大电流允许值:15A

  • 3DD8E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD8E引脚数:2

  • 3DD8E最大耗散功率:100W

  • 3DD8E放大倍数

  • 3DD8E图片代号:E-44

  • 3DD8Evtest:100

  • 3DD8Ehtest:999900

  • 3DD8Eatest:15

  • 3DD8Ewtest:100

  • 3DD8E代换 3DD8E用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
3DD8E

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min)

文件:190.41 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=30V(Min)

文件:190.68 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min)

文件:190.35 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min)

文件:190.76 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=110V(Min)

文件:190.37 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-6-13 16:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
3D-PLUS
2022+
30
只做原装,价格优惠,长期供货。
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公司只做原装,可配单
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3D-PLUS
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