3DD8E晶体管资料
3DD8E别名：3DD8E三极管、3DD8E晶体管、3DD8E晶体三极管
3DD8E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD8E制作材料：Si-NPN
3DD8E性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD8E封装形式：直插封装
3DD8E极限工作电压：100V
3DD8E最大电流允许值：15A
3DD8E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD8E引脚数：2
3DD8E最大耗散功率：100W
3DD8E放大倍数：
3DD8E图片代号：E-44
3DD8Evtest：100
3DD8Ehtest：999900
- 3DD8Eatest：15
3DD8Ewtest：100
3DD8E代换 3DD8E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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3DD8E | Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min) 文件：190.41 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min) 文件：190.35 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min) 文件：190.76 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 110V(Min) 文件：190.37 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 200V(Min) 文件：190.53 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
3DD8E规格书下载地址
3DD8E参数引脚图相关
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