| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 40V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 |   | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISC/固电 |
23+ |
F2 |
37000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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26+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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