3DD15S-D晶体管资料

  • 3DD15S-D别名:3DD15S-D三极管、3DD15S-D晶体管、3DD15S-D晶体三极管

  • 3DD15S-D生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD15S-D制作材料:Si-NPN

  • 3DD15S-D性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 3DD15S-D封装形式:直插封装

  • 3DD15S-D极限工作电压:300V

  • 3DD15S-D最大电流允许值:5A

  • 3DD15S-D最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD15S-D引脚数:3

  • 3DD15S-D最大耗散功率:30W

  • 3DD15S-D放大倍数

  • 3DD15S-D图片代号:B-91

  • 3DD15S-Dvtest:300

  • 3DD15S-Dhtest:999900

  • 3DD15S-Datest:5

  • 3DD15S-Dwtest:30

  • 3DD15S-D代换 3DD15S-D用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

文件:190.89 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·D

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.)

文件:191.19 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

文件:190.49 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.)

文件:190.48 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-29 12:00:02
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