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3DD15晶体管资料

  • 3DD1507别名：3DD1507三极管、3DD1507晶体管、3DD1507晶体三极管

  • 3DD1507生产厂家：中国大陆半导体企业

  • 3DD1507制作材料：

  • 3DD1507性质：射频/高频放大 （HF）_功率放大 （PA）

  • 3DD1507封装形式：直插封装

  • 3DD1507极限工作电压：300V

  • 3DD1507最大电流允许值：0.2A

  • 3DD1507最大工作频率：<1MHZ或未知

  • 3DD1507引脚数：3

  • 3DD1507最大耗散功率：15W

  • 3DD1507放大倍数：

  • 3DD1507图片代号：B-91

  • 3DD1507vtest：300

  • 3DD1507htest：999900

  • 3DD1507atest：0.2

  • 3DD1507wtest：15

  • 3DD1507代换 3DD1507用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
3DD15

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

文件：190.89 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD155

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE= 15-120@IC= 1A ·Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 1A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for B&W TV horizontal output , regulated power supply and powe

ISC

无锡固电

3DD1555

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY

FEATURES ● 3DD1555 is high breakdown voltage of NPN bipolar transistor. The main process of manufacture: high voltage mesa type process, triple diffused process etc., adoption of fully plastic packge. RoHS product. APPLICATIONS ● Horizontal deflection output for colo

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD1555-O-A-N-D

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY

FEATURES ● 3DD1555 is high breakdown voltage of NPN bipolar transistor. The main process of manufacture: high voltage mesa type process, triple diffused process etc., adoption of fully plastic packge. RoHS product. APPLICATIONS ● Horizontal deflection output for colo

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD1556

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1556 FOR LOW FREQUENCY

BVCBO 1500 V IC 6 A VCE(sat) 5 V(max) tf 1 μs(max) FEATURES ● 3DD1556 is high breakdown voltage of NPN bipolar transistor. The main process of manufacture: high voltage mesa type process, triple diffused process etc., adoption of fully plastic packge. RoHS product. APPLICATIONS ● Horizontal

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD1556-O-A-N-D

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1556 FOR LOW FREQUENCY

BVCBO 1500 V IC 6 A VCE(sat) 5 V(max) tf 1 μs(max) FEATURES ● 3DD1556 is high breakdown voltage of NPN bipolar transistor. The main process of manufacture: high voltage mesa type process, triple diffused process etc., adoption of fully plastic packge. RoHS product. APPLICATIONS ● Horizontal

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD159

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·With TO-3 packaging ·Large collector current ·Low collector saturation voltage ·High power dissipation APPLICATIONS ·Designed for use in DC-DC converter ·Driver of solenoid or motor

ISC

无锡固电

3DD15D

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·D

ISC

无锡固电

3DD15180F

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

3DD15205

双极性晶体管

CRMICRO

华润微电子

3DD1555

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD1555

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：267.87 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD1555A

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555A FOR LOW FREQUENCY

文件：150.58 Kbytes Page：6 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD1555A-O-A-N-D

CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555A FOR LOW FREQUENCY

文件：150.58 Kbytes Page：6 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD1555P

Horizontal deflection output for color TV

文件：219.52 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD1555P-O-A-N-D

Horizontal deflection output for color TV

文件：219.52 Kbytes Page：5 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD155D

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：272.41 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD159A

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：202.99 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD159B

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：220.4 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD159C

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：220.41 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD159D

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：220.41 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD159E

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：220.41 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD159F

isc Silicon NPN Power Transistor

文件：220.75 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD15A

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.)

文件：191.19 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD15B

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

文件：190.49 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD15C

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.)

文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

3DD15产品属性

  • 类型

    描述

  • Package：

    die

  • Polarity：

    N

  • PTa（W）：

    0.8

  • IC(A)：

    1.5

  • VCBO（V）1：

    800

  • VCBO（V）2：

    900

  • VCEO(V)1：

    450

  • VCEO(V)2：

    520

  • Vebo(V)1：

    9

  • Vebo(V)2：

    15

  • Vcesat(V)1：

    0.8

  • Vcesat(V)2：

    0.3

  • hFE1：

    20-35

  • hFE2：

    20-25-30

  • ts（μs）1：

    /

  • ts（μs）2：

    /

  • Special1：

    /

  • Special2：

    /

  • Tech：

    /

3DD15供应商更多...

更新时间：2026-5-15 19:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市创新迹电子有限公司
3DD15B
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