3DD15B晶体管资料
3DD15B别名：3DD15B三极管、3DD15B晶体管、3DD15B晶体三极管
3DD15B生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD15B制作材料：Si-NPN
3DD15B性质：行输出 （HA）_电源用 （Reg）
3DD15B封装形式：直插封装
3DD15B极限工作电压：100V
3DD15B最大电流允许值：5A
3DD15B最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD15B引脚数：2
3DD15B最大耗散功率：50W
3DD15B放大倍数：
3DD15B图片代号：E-44
3DD15Bvtest：100
3DD15Bhtest：999900
- 3DD15Batest：5
3DD15Bwtest：50
3DD15B代换 3DD15B用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD15B | Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.) 文件：190.49 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·D | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.) 文件：190.89 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.) 文件：191.19 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.) 文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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卫光 |
25+ |
TO-3 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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国产 |
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CAN |
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卫光 |
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
3DD15B规格书下载地址
3DD15B参数引脚图相关
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