3DD15S-C晶体管资料
3DD15S-C别名：3DD15S-C三极管、3DD15S-C晶体管、3DD15S-C晶体三极管
3DD15S-C生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD15S-C制作材料：Si-NPN
3DD15S-C性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD15S-C封装形式：直插封装
3DD15S-C极限工作电压：200V
3DD15S-C最大电流允许值：5A
3DD15S-C最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD15S-C引脚数：3
3DD15S-C最大耗散功率：30W
3DD15S-C放大倍数：
3DD15S-C图片代号：B-91
3DD15S-Cvtest：200
3DD15S-Chtest：999900
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3DD15S-Cwtest：30
3DD15S-C代换 3DD15S-C用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min.) 文件：191.19 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.) 文件：190.49 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min.) 文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
上海 |
TO-3 |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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军工 |
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上海 |
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NA/ |
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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华晶 |
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TO-3 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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铁帽 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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HUAJING |
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TO-3 |
15000 |
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进口 |
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TO-3 |
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价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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华微 |
23+ |
TO-3P(H)IS |
50000 |
华微功率器件全系列供应,支持终端生产 |
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CHINA |
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F-2 |
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CD |
12+ |
TO-3P |
6000 |
原装现货价格优势！ |
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3DD15S-C参数引脚图相关
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