3DD15S-B晶体管资料
3DD15S-B别名：3DD15S-B三极管、3DD15S-B晶体管、3DD15S-B晶体三极管
3DD15S-B生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD15S-B制作材料：Si-NPN
3DD15S-B性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD15S-B封装形式：直插封装
3DD15S-B极限工作电压：150V
3DD15S-B最大电流允许值：5A
3DD15S-B最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD15S-B引脚数：3
3DD15S-B最大耗散功率：30W
3DD15S-B放大倍数：
3DD15S-B图片代号：B-91
3DD15S-Bvtest：150
3DD15S-Bhtest：999900
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3DD15S-Bwtest：30
3DD15S-B代换 3DD15S-B用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min.) 文件：191.19 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.) 文件：190.49 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min.) 文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
军工 |
2020+ |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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华晶 |
20+ |
TO-3 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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上海 |
23+ |
NA/ |
22175 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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0028+ |
铁帽 |
318 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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进口 |
23+ |
TO-3 |
8890 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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CHINA |
21+ |
TO220 |
9118 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
CHN |
20+ |
CN3 |
90000 |
全新原装正品现货/价格合适 |
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22+ |
长期备有现货 |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
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国产 |
16+ |
70 |
原装正品 专营军工 |
||||
SPTECH(深圳质超) |
24+ |
TO-3 |
690000 |
支持实单/只做原装 |
3DD15S-B芯片相关品牌
3DD15S-B规格书下载地址
3DD15S-B参数引脚图相关
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