3DD15S-A晶体管资料
3DD15S-A别名：3DD15S-A三极管、3DD15S-A晶体管、3DD15S-A晶体三极管
3DD15S-A生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD15S-A制作材料：Si-NPN
3DD15S-A性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD15S-A封装形式：直插封装
3DD15S-A极限工作电压：60V
3DD15S-A最大电流允许值：5A
3DD15S-A最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD15S-A引脚数：3
3DD15S-A最大耗散功率：30W
3DD15S-A放大倍数：
3DD15S-A图片代号：B-91
3DD15S-Avtest：60
3DD15S-Ahtest：999900
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3DD15S-Awtest：30
3DD15S-A代换 3DD15S-A用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·D | ISC 无锡固电 |   | ||
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Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.) 文件：191.19 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.) 文件：190.49 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.) 文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华晶 |
20+ |
TO-3 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
23+ |
铁帽 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
||||
军工 |
24+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
||||
CHINA |
23+ |
F-2 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
26+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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XILINX |
最新 |
QFP |
6850 |
莱克讯每片来自原厂原盒原包装假一罚十价优 |
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上海 |
23+ |
TO-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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CD |
24+ |
TO-3P |
6000 |
原装现货价格优势！ |
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CHN |
23+ |
TO220 |
12500 |
原厂原装正品 |
|||
国产 |
24+ |
TO-3 |
10000 |
3DD15S-A规格书下载地址
3DD15S-A参数引脚图相关
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