位置:首页 > IC中文资料 > 3DD15F

3DD15F晶体管资料

  • 3DD15F别名:3DD15F三极管、3DD15F晶体管、3DD15F晶体三极管

  • 3DD15F生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD15F制作材料:Si-NPN

  • 3DD15F性质:行输出 (HA)_电源用 (Reg)

  • 3DD15F封装形式:直插封装

  • 3DD15F极限工作电压:350V

  • 3DD15F最大电流允许值:5A

  • 3DD15F最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD15F引脚数:2

  • 3DD15F最大耗散功率:50W

  • 3DD15F放大倍数

  • 3DD15F图片代号:E-44

  • 3DD15Fvtest:350

  • 3DD15Fhtest:999900

  • 3DD15Fatest:5

  • 3DD15Fwtest:50

  • 3DD15F代换 3DD15F用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·D

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

文件:190.89 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.)

文件:191.19 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)

文件:190.49 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.)

文件:190.48 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2026-7-29 12:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CD
24+
TO-3P
6000
原装现货价格优势!
CHN
23+
TO220
12500
原厂原装正品
华晶
20+
TO-3
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
军工
24+
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
上海
23+
TO-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
国产
24+
TO-3
10000
0028+
铁帽
318
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
上海
2022+
TO-3
22175
原厂代理 终端免费提供样品
23+
铁帽
50000
全新原装正品现货,支持订货
上海
25+
N/A
20000
只做原装,只有原装。

3DD15F芯片相关品牌

3DD15F数据表相关新闻