3DD159C晶体管资料
3DD159C别名：3DD159C三极管、3DD159C晶体管、3DD159C晶体三极管
3DD159C生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD159C制作材料：Si-NPN
3DD159C性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD159C封装形式：直插封装
3DD159C极限工作电压：150V
3DD159C最大电流允许值：10A
3DD159C最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD159C引脚数：2
3DD159C最大耗散功率：50W
3DD159C放大倍数：
3DD159C图片代号：E-44
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3DD159C代换 3DD159C用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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3DD159C | isc Silicon NPN Power Transistor 文件：220.41 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
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