位置:3DD159E > 3DD159E详情

3DD159E中文资料

厂家型号

3DD159E

文件大小

220.41Kbytes

页面数量

2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

ISC

3DD159E 晶体管资料

  • 3DD159E别名:3DD159E三极管、3DD159E晶体管、3DD159E晶体三极管

  • 3DD159E生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD159E制作材料:Si-NPN

  • 3DD159E性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD159E封装形式:直插封装

  • 3DD159E极限工作电压:250V

  • 3DD159E最大电流允许值:10A

  • 3DD159E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD159E引脚数:2

  • 3DD159E最大耗散功率:50W

  • 3DD159E放大倍数

  • 3DD159E图片代号:E-44

  • 3DD159Evtest:250

  • 3DD159Ehtest:999900

  • 3DD159Eatest:10

  • 3DD159Ewtest:50

  • 3DD159E代换 3DD159E用什么型号代替