3DD11G晶体管资料
3DD11G-T别名：3DD11G-T三极管、3DD11G-T晶体管、3DD11G-T晶体三极管
3DD11G-T生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD11G-T制作材料：Si-NPN
3DD11G-T性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD11G-T封装形式：直插封装
3DD11G-T极限工作电压：400V
3DD11G-T最大电流允许值：15A
3DD11G-T最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD11G-T引脚数：2
3DD11G-T最大耗散功率：300W
3DD11G-T放大倍数：
3DD11G-T图片代号：E-63
3DD11G-Tvtest：400
3DD11G-Thtest：999900
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3DD11G-Twtest：300
3DD11G-T代换 3DD11G-T用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)=250V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications | ISC 无锡固电 |   | ||
isc Silicon NPN Power Transistor 文件：264.09 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
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