3DD11E晶体管资料
3DD11E别名：3DD11E三极管、3DD11E晶体管、3DD11E晶体三极管
3DD11E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD11E制作材料：Si-NPN
3DD11E性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD11E封装形式：直插封装
3DD11E极限工作电压：150V
3DD11E最大电流允许值：30A
3DD11E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD11E引脚数：2
3DD11E最大耗散功率：300W
3DD11E放大倍数：
3DD11E图片代号：E-63
3DD11Evtest：150
3DD11Ehtest：999900
- 3DD11Eatest：30
3DD11Ewtest：300
3DD11E代换 3DD11E用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD11E | iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
iscSiliconNPNPowerTransistor 文件：264.09 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华晶 |
21+ |
TO-126 |
1360 |
原装现货假一赔十 |
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华晶 |
2023+ |
TO-126 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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华晶 |
2021+ |
TO-251 |
59967 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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华晶 |
TO-126 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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华润华晶 |
23+ |
TO-126F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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02+ |
3 |
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23+ |
N/A |
90150 |
正品授权货源可靠 |
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CHINA |
22+ |
F-2F-4 |
640 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方! |
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华晶 |
1318+ |
TO126F |
23568 |
优势现货可17%税 |
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华晶 |
23+ |
TO-126 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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