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3DD11E中文资料
更新时间：2024-4-26 12:45:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
isc |
2024 |
F-2 |
175 |
国产品牌isc,可替代原装 |
|||
CHINA |
22+ |
F-2F-4 |
640 |
航宇科工半导体-央企合格优秀供方! |
|||
02+ |
3 |
||||||
CRM/华润微 |
1年内 |
Die |
150000 |
类别:双极型晶体管 |
|||
长电 KTG |
2022+ |
TO-220 |
7300 |
原装现货 |
|||
华晶 |
1318+ |
TO126F |
23568 |
优势现货可17%税 |
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23+ |
N/A |
90150 |
正品授权货源可靠 |
||||
华晶 |
23+ |
TO-126 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
华晶 |
21+ |
TO-126 |
1360 |
原装现货假一赔十 |
|||
华晶 |
TO-126 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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3DD11E 芯片相关型号
3DD11E 晶体管资料
3DD11E别名：3DD11E三极管、3DD11E晶体管、3DD11E晶体三极管
3DD11E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD11E制作材料：Si-NPN
3DD11E性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD11E封装形式：直插封装
3DD11E极限工作电压：150V
3DD11E最大电流允许值：30A
3DD11E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD11E引脚数：2
3DD11E最大耗散功率：300W
3DD11E放大倍数：
3DD11E图片代号：E-63
3DD11Evtest：150
3DD11Ehtest：999900
- 3DD11Eatest：30
3DD11Ewtest：300
3DD11E代换 3DD11E用什么型号代替：
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 21829条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
