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3DD11E中文资料
3DD11E数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
·DC Current Gain
: hFE=15~180@IC = 15A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage
: VCEO(SUS)=250V(Min)
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose power amplifier and
switching applications.
更新时间：2026-1-4 10:50:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
3 |
||||||
华晶 |
25+ |
TO-126 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
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华润华晶 |
23+ |
TO-126F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
华晶 |
23+ |
TO-126 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
华晶 |
TO-126F |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
华晶 |
11+ |
TO-126 |
1196 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
华晶 |
24+ |
NA/ |
1320 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
华晶 |
25+ |
TO-126F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
HUAJING/华晶 |
24+ |
TO-126 |
60000 |
||||
华晶 |
22+ |
TO-126 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
3DD11E 资料下载更多...
3DD11E 芯片相关型号
3DD11E 晶体管资料
3DD11E别名：3DD11E三极管、3DD11E晶体管、3DD11E晶体三极管
3DD11E生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD11E制作材料：Si-NPN
3DD11E性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
3DD11E封装形式：直插封装
3DD11E极限工作电压：150V
3DD11E最大电流允许值：30A
3DD11E最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD11E引脚数：2
3DD11E最大耗散功率：300W
3DD11E放大倍数：
3DD11E图片代号：E-63
3DD11Evtest：150
3DD11Ehtest：999900
- 3DD11Eatest：30
3DD11Ewtest：300
3DD11E代换 3DD11E用什么型号代替：
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