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3DD11C晶体管资料

  • 3DD11C别名:3DD11C三极管、3DD11C晶体管、3DD11C晶体三极管

  • 3DD11C生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD11C制作材料:Si-NPN

  • 3DD11C性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD11C封装形式:直插封装

  • 3DD11C极限工作电压:80V

  • 3DD11C最大电流允许值:30A

  • 3DD11C最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD11C引脚数:2

  • 3DD11C最大耗散功率:300W

  • 3DD11C放大倍数

  • 3DD11C图片代号:E-63

  • 3DD11Cvtest:80

  • 3DD11Chtest:999900

  • 3DD11Catest:30

  • 3DD11Cwtest:300

  • 3DD11C代换 3DD11C用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)=250V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:264.09 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2026-5-15 14:07:02
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