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3DD11B晶体管资料

  • 3DD11B别名:3DD11B三极管、3DD11B晶体管、3DD11B晶体三极管

  • 3DD11B生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3DD11B制作材料:Si-NPN

  • 3DD11B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 3DD11B封装形式:直插封装

  • 3DD11B极限工作电压:50V

  • 3DD11B最大电流允许值:30A

  • 3DD11B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3DD11B引脚数:2

  • 3DD11B最大耗散功率:300W

  • 3DD11B放大倍数

  • 3DD11B图片代号:E-63

  • 3DD11Bvtest:50

  • 3DD11Bhtest:999900

  • 3DD11Batest:30

  • 3DD11Bwtest:300

  • 3DD11B代换 3DD11B用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)=250V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

ISC

无锡固电

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:264.09 Kbytes Page:2 Pages

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