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N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 36mΩ ID 30A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A) • Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 2

RENESAS

瑞萨

Product Scout Automotive

文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages

RENESAS

瑞萨

N Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.28284 Mbytes Page:7 Pages

STANSON

司坦森

36A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:218.48 Kbytes Page:5 Pages

UTC

友顺

更新时间:2026-7-27 17:56:01
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