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引线型非固态铝电解电容

Rukycon

引线型非固态铝电解电容

Rukycon

铝电解电容

HYNCDZ

宏远纳川

Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM

Overview The LC35V1000BM and LC35V1000BTS-70U are asynchronous silicon gate CMOS static RAM devices with a 131,072-word by 8-bit structure. They provide two chip enable pins (CE1 and CE2) for device select/deselect control and one output enable pin (OE) for output control. They feature high speed

SANYO

三洋

35V1000产品属性

  • 类型

    描述

  • 温度范围:

    -40~+105℃

  • 寿命:

    3000小时

  • 额定电压:

    35V

  • 额定容量:

    10000uF

  • 容量允许差:

    (M)±20%

  • 外壳:

    PVC

  • 套管颜色/印刷颜色:

    黑色/银字

  • 频率特性:

    中频

  • 端子类型:

    引线型

  • 介质材料:

    非固态铝电解电容

  • 特性:

    标准品

  • 应用范围:

    滤波

  • 电源:

    电源

更新时间:2026-7-27 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
国产
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