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引线型非固态铝电解电容

ETC

知名厂家

引线型非固态铝电解电容

ETC

知名厂家

铝电解电容

HYNCDZ

宏远纳川

Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM

Overview The LC35V1000BM and LC35V1000BTS-70U are asynchronous silicon gate CMOS static RAM devices with a 131,072-word by 8-bit structure. They provide two chip enable pins (CE1 and CE2) for device select/deselect control and one output enable pin (OE) for output control. They feature high speed

SANYO

三洋

35V1000产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    35V1000

  • 功能描述

    KONDENSATOR SNAP IN 10000UF 35V RM10

IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格

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