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LC35V1000BM

Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM

Overview The LC35V1000BM and LC35V1000BTS-70U are asynchronous silicon gate CMOS static RAM devices with a 131,072-word by 8-bit structure. They provide two chip enable pins (CE1 and CE2) for device select/deselect control and one output enable pin (OE) for output control. They feature high speed

SANYO

三洋

LC35V1000BM

Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-10-31 11:39:00
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