| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
35V1000UF | 引线型非固态铝电解电容 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
铝电解电容 | HYNCDZ 宏远纳川电子 | | ||
Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM Overview The LC35V1000BM and LC35V1000BTS-70U are asynchronous silicon gate CMOS static RAM devices with a 131,072-word by 8-bit structure. They provide two chip enable pins (CE1 and CE2) for device select/deselect control and one output enable pin (OE) for output control. They feature high speed | SANYO 三洋 | |
更新时间：2025-10-29 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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