位置:首页 > IC中文资料 > 35V1000UF

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
35V1000UF

引线型非固态铝电解电容

Rukycon

铝电解电容

HYNCDZ

宏远纳川

Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM

Overview The LC35V1000BM and LC35V1000BTS-70U are asynchronous silicon gate CMOS static RAM devices with a 131,072-word by 8-bit structure. They provide two chip enable pins (CE1 and CE2) for device select/deselect control and one output enable pin (OE) for output control. They feature high speed

SANYO

三洋

35V1000UF产品属性

  • 类型

    描述

  • 温度范围:

    -40~+105℃

  • 寿命:

    3000小时

  • 额定电压:

    35V

  • 额定容量:

    1000uF

  • 容量允许差:

    (M)±20%

  • 外壳:

    PVC

  • 套管颜色/印刷颜色:

    黑色/银字

  • 频率特性:

    中频

  • 端子类型:

    引线型

  • 介质材料:

    非固态铝电解电容

  • 特性:

    标准品

  • 应用范围:

    滤波

  • 电源:

    电源

更新时间:2026-7-30 8:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
25+
N/A
20000
只做原装,只有原装。
ST
25
2330
原装正品
松下
4000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
国产
130
原装现货支持BOM配单服务
LS
26+
12.52
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
8X10.2
25+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
LS
25+23+
12.520
17320
绝对原装正品全新进口深圳现货
NEC
24+
A
5000
原装现货
ST
21+
8080
只做原装,质量保证
AVXKEMET
24+
A
10000

35V1000UF数据表相关新闻