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位置：首页 > IC中文资料第415页 > 2SK387

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SK387

Fast Switching Speed

文件：67.58 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3878

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

2SK3878

Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

2SK3878

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SK3878_V01

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

2SK3878F

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) • Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

2SK3879

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2SK3879

Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.35 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 640 V) • Enhancement model: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

TOSHIBA

东芝

2SK3870

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：330.56 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3870-01

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：95.67 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3871-01MR

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：96.65 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3871-01MR

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Fuji

富士通

2SK3872-01L

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Fuji

富士通

2SK3872-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：327.15 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3872-01L

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：159.31 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3872-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：330.91 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3872-01S

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：159.31 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3872-0SJ

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：159.31 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3873-01

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：119.57 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3873-01

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

Fuji

富士通

2SK3873-01

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：327.49 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3874-01R

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：318.9 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3874-01R

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：116.66 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3875-01

FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series

文件：114.63 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3875-01

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：374.92 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3876-01R

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件：101.91 Kbytes Page：4 Pages

Fuji

富士通

2SK3878

Switching Regulator Applications

文件：212.41 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3878

N-Channel Power MOSFET

文件：342.17 Kbytes Page：6 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

2SK3878

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：323.05 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3878

THINKISEMI 9A,900V N-CHANNEL PLANAR STRIPE POWER MOSFETs

文件：1.39583 Mbytes Page：6 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

2SK3878

N-Channel Mosfet Transistor

文件：201.27 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3878_10

Switching Regulator Applications

文件：212.41 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3878_18

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：323.05 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3879

Switching Regulator Applications

文件：294.84 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK3879

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：401.82 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3879_09

Switching Regulator Applications

文件：294.84 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBA

东芝

2SK387产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK387

  • 制造商

    Fuji Electric

  • 功能描述

    MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 900V, RDS(ON) 0.79Ohm, ID 13A, TO-247, PD 355W, VGS +/-30V

2SK387供应商更多...

更新时间：2025-12-24 19:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
2SK3878
TOSHIBA/东芝
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2SK3878
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2SK3878(STA1.E.S)
TOSHIBA/东芝
2152+
TO-3P
8000
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    2023-2-16

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    2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package

    2021-6-24

  • 2SX1-T

    2SX1-T，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.

    2021-2-10

  • 2SK508G-K51-AE3-R

    属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW

    2020-11-12

  • 2SK3313

    2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28

  • 2SK3591-01R

    2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28

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