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2SK3878F中文资料

厂家型号

2SK3878F

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功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

2SK3878F数据手册规格书PDF详情

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)

• Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

更新时间:2026-2-27 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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