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2SK3481	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3481 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 58 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. •	NEC 瑞萨	NEC
2SK3481	MOS Field Effect Transistor Features ● Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15A) RDS(on)2 = 58 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) ● Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. ● Built-in gate protection diode	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK3481	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3481 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 50mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 58mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • L	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3481	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.54 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3481-S	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3481 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 58 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. •	NEC 瑞萨	NEC

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更新时间：2025-8-15 20:00:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	2SK3481	NEC	24+	TO-220AB	8866		询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SK3481	NEC	2023+	SOT-263	50000	原装现货	询价

2SMPP-02
优势渠道
2023-2-16
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3484-Z-E1-AZ Manufacturer Part Number: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Not Recommended Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP Part Package
2021-6-24
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技芯片详细信息 Source Content uid: 2SK3105-T1B-A Manufacturer Part Number: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas Pbfree Code: Yes Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Obsolete Ihs Manufacturer: RENESAS ELECTRONICS CORP P
2021-6-24
2SK508G-K51-AE3-R
属性参数值商品目录结型场效应晶体管（JFET）连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-12
2SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
2SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28