型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS =1.26 Ω typ. (VGS = 10 V , ID = 150 mA) RDS = 2.8 Ω typ. (VGS = 4 V , ID = 50 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (CMPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching

Features • Low on-resistance RDS = 1.26Ω typ. (at VGS =10V , ID =150mA) RDS = 2.8Ω typ. (at VGS =4V , ID =50mA) • 4V gate drive device • Small package (CMPAK)

RENESAS

瑞萨

2SK3289AN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3289AN

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

更新时间:2025-12-26 8:56:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-23
9600
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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HITACHI
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SOT323
20000
公司只有原装 品质保证
SOT-323
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HITACHI
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SOT323
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RENESAS/瑞萨
2025+
SOT-23
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
HIT
24+
SOT-323
20000
HITACHI
2023+
SOT323
50000
原装现货

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