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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS = 2.7 Ω typ. (VGS = 10 V , ID = 50 mA) RDS = 4.7 Ω typ. (VGS = 4 V , ID = 20 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK) | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching Features • Low on-resistance RDS = 2.7 Ω typ. (VGS = 10 V , ID = 50 mA) RDS = 4.7 Ω typ. (VGS = 4 V , ID = 20 mA) • 4 V gate drive device. • Small package (MPAK) | RENESAS 瑞萨 | |
2SK3288EN产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3288EN
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V .1A MPAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
||||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-23 |
20000 |
只做原装 |
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RENESAS |
20+ |
SOT23 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
HIT |
24+ |
SOT-23 |
20000 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
HITACHI |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
3-MPAK |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
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2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
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2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性 参数值 商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 50mA 漏源电压（Vdss） 15V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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