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位置：首页 > IC中文资料第5586页 > 2SK322

2SK322价格

参考价格：￥0.9750

型号：2SK3225(1)-Z-E1 品牌：NEC 备注：这里有2SK322多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SK322批发/采购报价，2SK322行情走势销售排行榜，2SK322报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SK322

SiliconN-ChannelJunctionFET

Application HFwidebandamplifier

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi
2SK3221

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3221isN-channelDMOSFETdevicethatfeaturesalowgatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,ACadapter. FEATURES •Lowgatecharge QG=9nCTYP.(VDD=450V,VGS=10V,ID=2.0

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SK3221

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3221isN-channelDMOSFETdevicethatfeaturesa lowgatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,and designedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpower supply,ACadapter. FEATURES •Lowgatecharge QG=9nCT

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK3224

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3224isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCi

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RENESAS
2SK3224

MOSFieldEffectTransistor

Features LowOn-StateResistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) LowCiss:Ciss=790pFTYP. Built-inGateProtectionDiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SK3224

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=790pFTYP. •Built-i

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK3224-Z

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCiss:Ciss=790pFTYP. •Built-i

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK3224-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3224isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=60mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=10A) •LowCi

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RENESAS
2SK3225

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3225isN-ChannelMOSFieldEffectTransistors designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) •Lowi

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RENESAS
2SK3225

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) •LowCiss:Ciss=2100pFTYP. •Built-

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK3225

MOSFieldEffectTransistor

Features ●LowOn-StateResistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ●LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ●Built-inGateProtectionDiode

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SK3225-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3225isN-ChannelMOSFieldEffectTransistors designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) •Lowi

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RENESAS
2SK3225-Z

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-StateResistance RDS(on)1=18mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) •LowCiss:Ciss=2100pFTYP. •Built-

NECRenesas Electronics America

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NEC
2SK3228

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

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RENESAS
2SK3228

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi
2SK3228-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK3229

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK3229

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi
2SK3229-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=6mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK3221

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.08669 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
2SK3221

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：333.22 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3221-AZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：401.41 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3224

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：398.77 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3224

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：960.1 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
2SK3224-Z

N-ChannelMOSFET

文件：974.1 Kbytes Page：2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SK3224-Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：331.21 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3225

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：399.05 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3225

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：1.64113 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
2SK3225-Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：331.51 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SK3228

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件：1.28659 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
2SK3228_15

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

文件：107.27 Kbytes Page：10 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SK3229

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件：323.97 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

2SK322产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK322

  • 制造商

    HITACHI

  • 制造商全称

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述

    Silicon N-Channel Junction FET

2SK322供应商更多...

更新时间：2024-4-19 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
2SK3221
NEC
2020+
TO-220F
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
2SK322
RENESAS/瑞萨
23+
NA/
220
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
2SK322
HITACHI
2023+
SOT-23
50000
原装现货
询价
深圳市威雅利发展有限公司
2SK3221
NEC
13+
TO-220F
20
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市正纳电子有限公司
2SK3228
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
询价
深圳市航润创能电子集团有限公司
2SK3221
NEC
21+
TO-220F
20
原装现货假一赔十
询价
深圳市欧立现代科技有限公司
2SK3229-E
RENESAS
22+
TO220
4500
原装现货,可开13%税票
询价
深圳市深创辉科技有限公司
2SK3221
NEC
1889
原装正品现货供应
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
2SK3224(-Z)
NEC
17+
TO-251252
31518
原装正品 可含税交易
询价
深圳市富利微电子科技有限公司
2SK3225-Z-E1
RENESAS/瑞萨
23+
TO-252
33500
全新进口原装现货,假一罚十
询价

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  • 2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技

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  • 2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技

    2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3105-T1B-A ManufacturerPartNumber: 2SK3105-T1B-A Brand_Name: Renesas PbfreeCode: Yes RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: Obsolete IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP P

    2021-6-24

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    2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-3-28

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