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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
2SK3147S | SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |  |   |
2SK3147S | SiliconNCannelMOSFET Features Lowon-resistance RDS=0.1typ. Highspeedswitching 4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 |  | |
2SK3147S | N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.01428 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
2SK3147S | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：401.25 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.00819 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS=0.1Ωtyp. •Highspeedswitching •4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 | | | |
N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件：1.035599 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
2SK3147S产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3147S
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ORIGINAL |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VB |
2024 |
DPAK(S)T |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘代理渠道 更多数量 |
|||
HIT |
2023+ |
DPAK |
50000 |
原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
VBsemi(台湾微碧) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
1800 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
RENESAS |
23+ |
null |
7000 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-252 |
33500 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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2SK3147S规格书下载地址
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2023-2-272SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
2SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技 芯片详细信息 SourceContentuid: 2SK3484-Z-E1-AZ ManufacturerPartNumber: 2SK3484-Z-E1-AZ Brand_Name: Renesas RohsCode: Yes PartLifeCycleCode: NotRecommended IhsManufacturer: RENESASELECTRONICSCORP PartPackage
2021-6-242SK3105-T1B-A找代理商上深圳百域芯科技
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2021-6-242SK508G-K51-AE3-R
属性参数值 商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）50mA 漏源电压（Vdss）15V 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）200mW
2020-11-122SK3313
2SK3313，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-282SK3591-01R
2SK3591-01R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-28
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